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PD- 93897C
SMPS MOSFET
IRF7452
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
High frequency DC-DC converters
V DSS
100V
R DS(on) max
0.060 ?
I D
4.5A
Benefits
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
Top View
A
A
D
D
D
D
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T A = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
4.5
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
3.6
36
2.5
0.02
± 30
3.5
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Typical SMPS Topologies
Telecom 48V input DC-DC with Half Bridge Primary or Datacom 28V input
with Passive Reset Forward Converter Primary
Notes
through
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www.irf.com
1
11/23/01
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